瑞薩電子宣布，推出業(yè)用於DDR5雙列直插式記憶體模組（RDIMM）的第六代暫存時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器（RCD）。新款RCD首次實(shí)現(xiàn)9,600MT/s（百萬次傳輸/秒）的資料傳輸速率，超越了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。這項(xiàng)突破性進(jìn)展與瑞薩第五代RCD的8,800MT/s相比，在效能上有了顯著提升，為資料中心伺服器的記憶體介面樹立了新的效能標(biāo)竿。?

為了滿足人工智慧（AI）、高效能運(yùn)算（HPC）和其他資料中心應(yīng)用日益成長(zhǎng)的記憶體頻寬需求，新款DDR5 RDIMM應(yīng)運(yùn)而生。瑞薩在新款RDIMM的設(shè)計(jì)、開發(fā)和部署中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，並與包括CPU和記憶體供應(yīng)商在內(nèi)的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶展開了合作。瑞薩是DDR5 RCD領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，憑藉其在訊號(hào)完整性和電源優(yōu)化方面的深厚積累，不斷引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。?

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示，生成式人工智慧的爆炸式成長(zhǎng)推動(dòng)了SoC核心數(shù)量的增加，這導(dǎo)致對(duì)記憶體頻寬和容量的需求大量提升，因?yàn)橛洃涹w頻寬和容量是資料中心效能的關(guān)鍵因素。第六代DDR5暫存時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器體現(xiàn)了瑞薩對(duì)記憶體需求的創(chuàng)新，藉由創(chuàng)造並提供解決方案以保持領(lǐng)先。

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示，三星與瑞薩在許多世代記憶體介面元件方面開展了合作，包括成功完成第五代DDR5 RCD和PMIC 5030的認(rèn)證?，F(xiàn)在，很高興將第六代RCD整合到我們的DDR5 DIMM中，並應(yīng)用於多個(gè)SoC平臺(tái)，以滿足人工智慧、高效能運(yùn)算和其他記憶操作密集等日益成長(zhǎng)的應(yīng)用需求。