日本車用半導(dǎo)體IDM龍頭瑞薩，為了拓展功率半導(dǎo)體以及第三類半導(dǎo)體布局，宣布以每股5.1美元的價格取得氮化鎵(GaN)IDM廠商Transphorm已發(fā)行的所有普通股，收購總額約3.39億美元，以Transphorm 1月10日收盤價3.79美元來看、瑞薩開出的收購價溢價約35%。此消息一出，激勵昨晚(11)日Transphorm股價暴漲25.86%。

過去瑞薩主要著墨於車用MCU，但有鑑於電動車對於功率半導(dǎo)體需求大增，近來瑞薩也積極發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)。去年瑞薩與碳化矽(SiC)基板龍頭Wolfspeed合作，Wolfspeed將在未來十年為瑞薩提供碳化矽裸晶（bare）及磊晶（epitaxial）晶圓。Wolfspeed供應(yīng)的優(yōu)質(zhì)碳化矽晶圓，可讓瑞薩於2025年開始量產(chǎn)碳化矽功率半導(dǎo)體。

因應(yīng)5G、電動車時代來臨，對於高頻、高壓功率元件需求大增，帶動氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導(dǎo)體材料興起。相較於矽基元件，GaN元件切換速度增快達十倍，同時可以在更高的最高溫度下運作，這些強大的材料本質(zhì)特性讓GaN廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範疇持續(xù)成長的汽車、工業(yè)、電信、以及特定消費性電子應(yīng)用產(chǎn)品。

根據(jù)資策會(MIC)資料統(tǒng)計，2022年全球GaN功率元件市占率，前七大廠商分別為 Power Integrations、Navitas、EPC、GaN Systems、Innoscience、Transphorm與Infineon；其中，GaN Systems日前已被Infineon收購。相較於SiC，GaN市場規(guī)模較小，根據(jù)市調(diào)機構(gòu)Yole Group預(yù)估，GaN功率元件的市場規(guī)模，將在2027年達到20億美元。在2021-2027年間，整體GaN功率元件市場的複合年成長率（CAGR）為59%。

目前國內(nèi)不少廠商也積極投入GaN，最上游基板廠環(huán)球晶、磊晶嘉晶、全新、晶圓代工臺積電、世界、漢磊投控、臺亞、晶成、聯(lián)穎等；以及IDM廠商全訊等。其中，晶圓代工龍頭臺積電早在2020年就與功率半導(dǎo)體IDM大廠意法半導(dǎo)體攜手合作開發(fā)GaN製程技術(shù)，包括: GaN Systems、Navitas等都是臺積電的客戶。

聯(lián)電也透過轉(zhuǎn)投資的6吋廠聯(lián)穎光電進軍氮化鎵晶圓代工，聯(lián)手建置技術(shù)平臺，供客戶設(shè)計導(dǎo)入，並與知名的氮化鎵設(shè)計公司展開研發(fā)8吋代工製程；建置晶圓廠代工技術(shù)與產(chǎn)能之外，聯(lián)電與策略結(jié)盟夥伴封測廠頎邦，也會展開GaN後段的代工合作。

8吋晶圓代工廠世界於2018年以Qromis基板技術(shù)（簡稱QST）進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發(fā)。QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(shù)（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現(xiàn)量產(chǎn)。日前GaN大廠EPC與晶圓代工廠世界共同宣布簽訂未來數(shù)年的8吋氮化鎵功率元件量產(chǎn)合作協(xié)議，EPC將採用世界先進高品質(zhì)製造能力來提升高性能氮化鎵電晶體和IC產(chǎn)能。